Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FDH5500_F085

FDH5500_F085

  • fdh5500.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 268nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3565pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDH5500

FDH5500

  • fdh5500
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 268nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3565pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFMA2P859T

FDFMA2P859T

  • fdfma2p859t
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 435pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFMA2P853T

FDFMA2P853T

  • fdfma2p853t
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 435p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8896_F085

FDD8896_F085

  • fdd8896.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 94A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 94A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2525pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8445_F085

FDD8445_F085

  • fdd8445.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 70A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4050pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6N50TM_F085

FDD6N50TM_F085

  • fdd6n50tm.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 6A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6796A

FDD6796A

  • fdd6796a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 20A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1780pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6796

FDD6796

  • fdd6796
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 20A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2315pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6782A

FDD6782A

  • fdd6782a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 20A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 14.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1065p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6780A

FDD6780A

  • fdd6780a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 16.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6780

FDD6780

  • fdd6780
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6778A

FDD6778A

  • fdd6778a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 12A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6776A

FDD6776A

  • fdd6776a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 17.7A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 17.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6770A

FDD6770A

  • fdd6770a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 24A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2405pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6760A

FDD6760A

  • fdd6760a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 27A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 27A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3170pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD5N53TM_WS

FDD5N53TM_WS

  • fdd5n53tm.ws
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 530V 4A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 530V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD5N50UTM_WS

FDD5N50UTM_WS

  • fdd5n50utm.ws
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 3A DPAK Серия: UltraFRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD5N50UTF_WS

FDD5N50UTF_WS

  • fdd5n50utf.ws
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 3A DPAK Серия: UltraFRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD5N50TM_WS

FDD5N50TM_WS

  • fdd5n50tm.ws
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 4A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь