Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDD5N50TF_WS
- fdd5n50tf.ws
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 4A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDD5N50FTF_WS
- fdd5n50ftf.ws
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 1.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDD5810_F085
- fdd5810.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 37A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1890pF @ 25V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDD5353
- fdd5353
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 10.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDD45AN06LA0_F085
- fdd45an06la0.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 25A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDD3860
- fdd3860
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1740
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDD3682_F085
- fdd3682.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDD24AN06LA0_F085
- fdd24an06la0.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 40A TO-252 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDD20AN06A0_F085
- fdd20an06a0.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 45A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDD16AN08A0_NF054
- fdd16an08a0.nf054
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 50A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1874pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDC855N
- fdc855n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 655p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDC645N_F095
- fdc645n.f095
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 146
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDC642P_F085
- fdc642p.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDC640P_F095
- fdc640p.f095
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 89
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDC633N_F095
- fdc633n.f095
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 5.2A 6-SSOT Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 538pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDC602P_F095
- fdc602p.f095
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 5.5V 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDC5614P_D87Z
- fdc5614p.d87z
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 759pF @ 30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDC5612_F095
- fdc5612.f095
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDC3612_F095
- fdc3612.f095
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDC3512_F095
- fdc3512.f095
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 634pF @ 40
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК