Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

FDD5N50TF_WS

  • fdd5n50tf.ws
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 4A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDD5N50FTF_WS

  • fdd5n50ftf.ws
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 1.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDD5810_F085

  • fdd5810.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 37A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1890pF @ 25V · FET Polarity: N-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDD5353

  • fdd5353
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 10.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDD45AN06LA0_F085

  • fdd45an06la0.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 25A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDD3860

  • fdd3860
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1740

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDD3682_F085

  • fdd3682.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDD24AN06LA0_F085

  • fdd24an06la0.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 40A TO-252 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDD20AN06A0_F085

  • fdd20an06a0.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 45A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDD16AN08A0_NF054

  • fdd16an08a0.nf054
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 75V 50A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1874pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDC855N

  • fdc855n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 655p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDC645N_F095

  • fdc645n.f095
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 146

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDC642P_F085

  • fdc642p.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDC640P_F095

  • fdc640p.f095
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 89

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDC633N_F095

  • fdc633n.f095
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 5.2A 6-SSOT Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 538pF @ 10V · FET Polari

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDC602P_F095

  • fdc602p.f095
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 5.5V 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDC5614P_D87Z

  • fdc5614p.d87z
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 759pF @ 30

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDC5612_F095

  • fdc5612.f095
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDC3612_F095

  • fdc3612.f095
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDC3512_F095

  • fdc3512.f095
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 634pF @ 40

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь