Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDC2612_F095
- fdc2612.f095
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725 mOhm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC2512_F095
- fdc2512.f095
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425 mOhm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB8870_F085
- fdb8870.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 132nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5200
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB8445_F085
- fdb8445.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3805pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB8444_F085
- fdb8444.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 128nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8035pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB8441_F085
- fdb8441.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 15000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB5800_F085
- fdb5800.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6625pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB3860
- fdb3860
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 174
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB3502
- fdb3502
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 815pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB150N10
- fdb150n10
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 49A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4760pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB12N50UTM_WS
- fdb12n50utm.ws
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Серия: UltraFRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1395pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB12N50FTM_WS
- fdb12n50ftm.ws
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1395pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB120N10
- fdb120n10
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 74A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 74A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5605pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB088N08
- fdb088n08
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 118nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6595pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB047N10
- fdb047n10
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB039N06
- fdb039n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 133nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8235
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB031N08
- fdb031n08
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1516
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB029N06
- fdb029n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 151nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9815
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB024N06
- fdb024n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 226nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1488
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDA8440
- fda8440
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 100A TO-3PN Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 450nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК