Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FDA28N50F

FDA28N50F

  • fda28n50f
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5387pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA28N50

FDA28N50

  • fda28n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5140pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA24N50F

FDA24N50F

  • fda24n50f
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 24A TO-3 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4310pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA24N50

FDA24N50

  • fda24n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4150pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA24N40F

FDA24N40F

  • fda24n40f
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 11.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3030pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA20N50_F109

FDA20N50_F109

  • fda20n50.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3120pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDA032N08

FDA032N08

  • fda032n08
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 75V 120A TO-3P Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1516

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FD70N20PWD

FD70N20PWD

  • fd70n20pwd
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCPF9N60NT

FCPF9N60NT

  • fcpf9n60nt
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 9A TO220F Серия: SuperMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1240pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCPF22N60NT

FCPF22N60NT

  • fcpf22n60nt
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F Серия: SupreMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1950pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCPF13N60NT

FCPF13N60NT

  • fcpf13n60nt
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 13A TO220F Серия: SuperMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1765

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCPF11N60NT

FCPF11N60NT

  • fcpf11n60nt
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F Серия: SuperMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 5.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCP9N60N

FCP9N60N

  • fcp9n60n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 9A TO220 Серия: SuperMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1240pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCP7N60_F080

FCP7N60_F080

  • fcp7n60.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 920pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCP22N60N

FCP22N60N

  • fcp22n60n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 22A TO-220 Серия: SupreMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1950pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCP20N60_F080

FCP20N60_F080

  • fcp20n60.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3080pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCP13N60N

FCP13N60N

  • fcp13n60n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 13A TO220 Серия: SuperMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1765p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCP11N60N

FCP11N60N

  • fcp11n60n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220 Серия: SuperMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 5.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCD4N60TM_WS

FCD4N60TM_WS

  • fcd4n60tm.ws
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FCA47N60F

FCA47N60F

  • fca47n60f
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 47A TO-3PN Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 23.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8000p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь