Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FCA35N60
- fca35n60
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 35A TO-3PN Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 181nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6640p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCA22N60N
- fca22n60n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 22A TO-3PN Серия: SupreMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1950pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ECH8411-TL-E
- ech8411.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 20V 9A ECH8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 4A, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1740pF @ 10V · FET Polarity: N-Chann
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ECH8402-TL-E
- ech8402.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 30V 10A ECH8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 10V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ECH8306-TL-E
- ech8306.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH 100V 2A ECH8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 20V · FET Polarity: P-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ECH8305-TL-E
- ech8305.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH 60V 4A ECH8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1680pF @ 20V · FET Polarity: P-Cha
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ECH8304-TL-E
- ech8304.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3180pF @ 6V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ECH8302-TL-E
- ech8302.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH 30V 7A ECH8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 10V · FET Polarity: P-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EC4407KF-TR
- ec4407kf.tr
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 20V 1.3A ESCP1208-4F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224 mOhm @ 600mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 100pF @ 10V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EC4406C-TL-H
- ec4406c.tl.h
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 Ohm @ 100mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 4V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 26pF @ 20V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP3100L-7
- dmp3100l.7
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 227pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN4030LK3-13
- dmn4030lk3.13
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 604pF @ 20V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN4015LK3-13
- dmn4015lk3.13
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2072pF @ 20V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3024LSS-13
- dmn3024lss.13
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 30V 6.4A SO8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 608pF @ 15V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN26D0UFB4-7
- dmn26d0ufb4.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 230MA DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14.1pF @ 15V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2104L-7
- dmn2104l.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 325pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2050L-7
- dmn2050l.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 532pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2027LK3-13
- dmn2027lk3.13
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 857pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2020LSN-7
- dmn2020lsn.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1149pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG6402LDM-7
- dmg6402ldm.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 404pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК