Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
DMG4800LK3-13
- dmg4800lk3.13
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 10A TO252 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 798pF @ 10V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG4468LFG
- dmg4468lfg
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 11.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18.85nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 867pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH6434-TL-E
- cph6434.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 30V 6A CPH6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 3A, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH6411-TL-E
- cph6411.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 20V 6A CPH6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 10V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH6311-TL-E
- cph6311.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH 20V 5A CPH6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1230pF @ 10V · FET Polarity: P-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH5852-TL-E
- cph5852.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH 30V 2A CPH5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 10V · FET Polarity: N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH3442-TL-E
- cph3442.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 30V 6.5A CPH3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 3A, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.1nC @ 4V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1295pF @ 10V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH3430-TL-E
- cph3430.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 60V 2A CPH3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 1A, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 325pF @ 20V · FET Polarity: N-Chan
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH3427-TL-E
- cph3427.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 100V 1A CPH3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240pF @ 20V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH3341-TL-E
- cph3341.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH 30V 5A CPH3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1115pF @ 10V · FET Polarity: P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH3327-TL-E
- cph3327.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH 100V 0.6A CPH3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 Ohm @ 300mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 600mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 245pF @ 20V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH3324-TL-E
- cph3324.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH 60V 1.2A CPH3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 600mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 265pF @ 20V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPC3703C
- cpc3703c
- Clare
- MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 360mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Depletio
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9620-100A,118
- buk9620.100a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 63A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 63A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6385pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK96150-55A,118
- buk96150.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 13A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 339pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9540-100A,127
- buk9540.100a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 39A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 39A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3072pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9528-100A,127
- buk9528.100a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 49A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4293pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9508-55A,127
- buk9508.55a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6021pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9222-55A,127
- buk9222.55a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 48A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2210pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9219-55A,118
- buk9219.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 55A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2920pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК