Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
PHU101NQ03LT,127
- phu101nq03lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 75A SOT533 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2180pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHT8N06LT,135
- pht8n06lt.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHT6NQ10T,135
- pht6nq10t.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 633pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHT6N06T,135
- pht6n06t.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 175pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHT6N06LT,135
- pht6n06lt.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHT4NQ10T,135
- pht4nq10t.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHT2NQ10T,135
- pht2nq10t.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 1.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHT11N06LT,135
- pht11n06lt.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 10.7A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP9NQ20T,127
- php9nq20t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 8.7A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 959p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP83N03LT,127
- php83n03lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1660pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP79NQ08LT,127
- php79nq08lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 73A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3026pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP96NQ03LT,127
- php96nq03lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP78NQ03LT,127
- php78nq03lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1074pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP71NQ03LT,127
- php71nq03lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1220pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP73N06T,127
- php73n06t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 60V 73A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2464pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP66NQ03LT,127
- php66nq03lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 66A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 66A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP63NQ03LT,127
- php63nq03lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 68.9A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 68.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 920p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP55N03LTA,127
- php55n03lta.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 55A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP54N06T,127
- php54n06t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1592pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP52N06T,127
- php52n06t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 60V 52A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1592pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК