Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для PHP47NQ10T,127

PHP47NQ10T,127

  • php47nq10t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP45NQ15T,127

PHP45NQ15T,127

  • php45nq15t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 150V 45.1A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1770

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP45N03LTA,127

PHP45N03LTA,127

  • php45n03lta.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 25V 40A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP45NQ10T,127

PHP45NQ10T,127

  • php45nq10t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 47A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP45NQ11T,127

PHP45NQ11T,127

  • php45nq11t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 105V 47A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 105V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2930pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP45NQ10TA,127

PHP45NQ10TA,127

  • php45nq10ta.127
  • NXP Semiconductors
  • POWER MOSFET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP34NQ11T,127

PHP34NQ11T,127

  • php34nq11t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 110V 35A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 110V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP33NQ20T,127

PHP33NQ20T,127

  • php33nq20t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 200V 32.7A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 18

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP30NQ15T,127

PHP30NQ15T,127

  • php30nq15t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 150V 29A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2390pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP32N06LT,127

PHP32N06LT,127

  • php32n06lt.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 60V 34A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1280pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP3055E,127

PHP3055E,127

  • php3055e.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 60V 10.3A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP29N08T,127

PHP29N08T,127

  • php29n08t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 75V 27A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 14A, 11V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP28NQ15T,127

PHP28NQ15T,127

  • php28nq15t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 150V 28.5A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 30V · FET Pol

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP27NQ11T,127

PHP27NQ11T,127

  • php27nq11t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 110V 27.6A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 110V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1240

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP23NQ11T,127

PHP23NQ11T,127

  • php23nq11t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 110V 23A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 110V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP222NQ04LT,127

PHP222NQ04LT,127

  • php222nq04lt.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 40V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 93.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7880pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP21N06LT,127

PHP21N06LT,127

  • php21n06lt.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 19A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP20N06T,127

PHP20N06T,127

  • php20n06t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 20.3A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 483pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP20NQ20T,127

PHP20NQ20T,127

  • php20nq20t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 200V 20A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2470pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHP193NQ06T,127

PHP193NQ06T,127

  • php193nq06t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5082pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь