Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

PHP191NQ06LT,127

  • php191nq06lt.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7665pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHP18NQ11T,127

  • php18nq11t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 110V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 633pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHP18NQ10T,127

  • php18nq10t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 18A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 633pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHP176NQ04T,127

  • php176nq04t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 40V 75A SOT 78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3620pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHP174NQ04LT,127

  • php174nq04lt.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 40V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5345pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHP14NQ20T,127

  • php14nq20t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 200V 14A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHP143NQ04T,127

  • php143nq04t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 40V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2840pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHP129NQ04LT,127

  • php129nq04lt.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 40V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3965pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHP119NQ06T,127

  • php119nq06t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2820pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHP112N06T,127

  • php112n06t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4352pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHP110NQ06LT,127

  • php110nq06lt.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3960pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHP101NQ04T,127

  • php101nq04t.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 40V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2020pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHP101NQ03LT,127

  • php101nq03lt.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 30V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2180pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHK5NQ15T,518

  • phk5nq15t.518
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHK31NQ03LT,518

  • phk31nq03lt.518
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4235pF @ 12V · FET Pola

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHK28NQ03LT,518

  • phk28nq03lt.518
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 30V 23.7A SPT 8-SOIC Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHK24NQ04LT,518

  • phk24nq04lt.518
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 40V 21.2A 8-SOIC Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2985

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHK18NQ03LT,518

  • phk18nq03lt.518
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1380pF @ 12V · FET Po

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHK13N03LT,518

  • phk13n03lt.518
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-SOIC Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 752pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PHK12NQ10T,518

  • phk12nq10t.518
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 196

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь