Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
PHP191NQ06LT,127
- php191nq06lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7665pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHP18NQ11T,127
- php18nq11t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 110V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 633pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHP18NQ10T,127
- php18nq10t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 18A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 633pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHP176NQ04T,127
- php176nq04t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A SOT 78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3620pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHP174NQ04LT,127
- php174nq04lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5345pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHP14NQ20T,127
- php14nq20t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 14A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHP143NQ04T,127
- php143nq04t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2840pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHP129NQ04LT,127
- php129nq04lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3965pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHP119NQ06T,127
- php119nq06t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2820pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHP112N06T,127
- php112n06t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4352pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHP110NQ06LT,127
- php110nq06lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3960pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHP101NQ04T,127
- php101nq04t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2020pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHP101NQ03LT,127
- php101nq03lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2180pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHK5NQ15T,518
- phk5nq15t.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHK31NQ03LT,518
- phk31nq03lt.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4235pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHK28NQ03LT,518
- phk28nq03lt.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 23.7A SPT 8-SOIC Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHK24NQ04LT,518
- phk24nq04lt.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 21.2A 8-SOIC Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2985
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHK18NQ03LT,518
- phk18nq03lt.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1380pF @ 12V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHK13N03LT,518
- phk13n03lt.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-SOIC Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 752pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PHK12NQ10T,518
- phk12nq10t.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 196
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК