Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQH140N10

FQH140N10

  • fqh140n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 140A TO-247 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 285nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7900pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQE10N20LCTU

FQE10N20LCTU

  • fqe10n20lctu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 490pF @ 25V · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQE10N20CTU

FQE10N20CTU

  • fqe10n20ctu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 510pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD9N25TF

FQD9N25TF

  • fqd9n25tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD8P10TF

FQD8P10TF

  • fqd8p10tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD9N08TM

FQD9N08TM

  • fqd9n08tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD8P10TM

FQD8P10TM

  • fqd8p10tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD9N25TM

FQD9N25TM

  • fqd9n25tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD8N25TF

FQD8N25TF

  • fqd8n25tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 3.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD7N30TM

FQD7N30TM

  • fqd7n30tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 2.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 610pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD7P06TM

FQD7P06TM

  • fqd7p06tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 295pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD7P20TF

FQD7P20TF

  • fqd7p20tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 2.85A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD7P20TM

FQD7P20TM

  • fqd7p20tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 2.85A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD7P06TF

FQD7P06TF

  • fqd7p06tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 295pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD7N30TF

FQD7N30TF

  • fqd7n30tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 2.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 610pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD7N20TM

FQD7N20TM

  • fqd7n20tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 2.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD7N20LTF

FQD7N20LTF

  • fqd7n20ltf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD7N10TM

FQD7N10TM

  • fqd7n10tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD7N20TF

FQD7N20TF

  • fqd7n20tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 2.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD7N10LTF

FQD7N10LTF

  • fqd7n10ltf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 290pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь