Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQD7N20LTM

FQD7N20LTM

  • fqd7n20ltm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD7N10LTM

FQD7N10LTM

  • fqd7n10ltm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 290pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD6P25TM

FQD6P25TM

  • fqd6p25tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD6N40CTM

FQD6N40CTM

  • fqd6n40ctm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD6N50CTM

FQD6N50CTM

  • fqd6n50ctm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD6N40TM

FQD6N40TM

  • fqd6n40tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 Ohm @ 2.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 620pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD6P25TF

FQD6P25TF

  • fqd6p25tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD6N40TF

FQD6N40TF

  • fqd6n40tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 Ohm @ 2.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 620pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD6N50CTF

FQD6N50CTF

  • fqd6n50ctf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD6N40CTF

FQD6N40CTF

  • fqd6n40ctf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD630TF

FQD630TF

  • fqd630tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD6N25TF

FQD6N25TF

  • fqd6n25tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD630TM

FQD630TM

  • fqd630tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD6N25TM

FQD6N25TM

  • fqd6n25tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5P20TM

FQD5P20TM

  • fqd5p20tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.85A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N60CTM

FQD5N60CTM

  • fqd5n60ctm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5P10TF

FQD5P10TF

  • fqd5p10tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5P10TM

FQD5P10TM

  • fqd5p10tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5P20TF

FQD5P20TF

  • fqd5p20tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.85A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N60CTF

FQD5N60CTF

  • fqd5n60ctf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь