Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQD5N50TM

FQD5N50TM

  • fqd5n50tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 610pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N50TF

FQD5N50TF

  • fqd5n50tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 610pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N50CTM

FQD5N50CTM

  • fqd5n50ctm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N30TM

FQD5N30TM

  • fqd5n30tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N40TF

FQD5N40TF

  • fqd5n40tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 1.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N40TM

FQD5N40TM

  • fqd5n40tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 1.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N50CTF

FQD5N50CTF

  • fqd5n50ctf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N30TF

FQD5N30TF

  • fqd5n30tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N20TF

FQD5N20TF

  • fqd5n20tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 270pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N15TF

FQD5N15TF

  • fqd5n15tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N20LTF

FQD5N20LTF

  • fqd5n20ltf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 325pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N20LTM

FQD5N20LTM

  • fqd5n20ltm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 325pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N15TM

FQD5N15TM

  • fqd5n15tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD4P40TM

FQD4P40TM

  • fqd4p40tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 Ohm @ 1.35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD4P40TF

FQD4P40TF

  • fqd4p40tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 Ohm @ 1.35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD4P25TM

FQD4P25TM

  • fqd4p25tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD4N50TM

FQD4N50TM

  • fqd4n50tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD4P25TF

FQD4P25TF

  • fqd4p25tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD4N50TF

FQD4N50TF

  • fqd4n50tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD4N20TM

FQD4N20TM

  • fqd4n20tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 3A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 220pf @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь