Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQD4N25TM

FQD4N25TM

  • fqd4n25tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 3A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD4N25TF

FQD4N25TF

  • fqd4n25tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 3A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD4N20LTM

FQD4N20LTM

  • fqd4n20ltm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 1.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD4N20LTF

FQD4N20LTF

  • fqd4n20ltf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 1.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD4N20TF

FQD4N20TF

  • fqd4n20tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 3A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 220pf @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD3P20TF

FQD3P20TF

  • fqd3p20tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD3P20TM

FQD3P20TM

  • fqd3p20tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD3P50TF

FQD3P50TF

  • fqd3p50tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 Ohm @ 1.05A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD3P50TM

FQD3P50TM

  • fqd3p50tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 Ohm @ 1.05A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD3N60TM

FQD3N60TM

  • fqd3n60tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD3N60TF

FQD3N60TF

  • fqd3n60tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD3N30TF

FQD3N30TF

  • fqd3n30tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD3N30TM

FQD3N30TM

  • fqd3n30tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD3N40TM

FQD3N40TM

  • fqd3n40tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 2A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25V · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD3N40TF

FQD3N40TF

  • fqd3n40tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 2A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25V · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD3N50CTM

FQD3N50CTM

  • fqd3n50ctm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 365pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD30N06TF

FQD30N06TF

  • fqd30n06tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 11.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 945pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD30N06LTM

FQD30N06LTM

  • fqd30n06ltm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1040pF @ 25V · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD30N06LTF

FQD30N06LTF

  • fqd30n06ltf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1040pF @ 25V · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N90TF

FQD2N90TF

  • fqd2n90tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 Ohm @ 850mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь