Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQAF9N50

FQAF9N50

  • fqaf9n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1450pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF90N08

FQAF90N08

  • fqaf90n08
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 56A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3250pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF8N80

FQAF8N80

  • fqaf8n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 5.9A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.95A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2350pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF70N15

FQAF70N15

  • fqaf70n15
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 44A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 175nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5400pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF7N80

FQAF7N80

  • fqaf7n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 5A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF5N90

FQAF5N90

  • fqaf5n90
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 2.05A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1550pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF7N90

FQAF7N90

  • fqaf7n90
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 5.2A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2280pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF65N06

FQAF65N06

  • fqaf65n06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 49A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 24.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF6N90

FQAF6N90

  • fqaf6n90
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1880pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF6N80

FQAF6N80

  • fqaf6n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF58N08

FQAF58N08

  • fqaf58n08
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 44A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF47P06

FQAF47P06

  • fqaf47p06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 38A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF44N08

FQAF44N08

  • fqaf44n08
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 35.6A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 17.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1430pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF44N10

FQAF44N10

  • fqaf44n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 33A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF40N25

FQAF40N25

  • fqaf40n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 24A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF34N25

FQAF34N25

  • fqaf34n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 21.7A TO-3PF Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 10.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2750pF @ 25V · FET Po

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF33N10

FQAF33N10

  • fqaf33n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 12.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF22P10

FQAF22P10

  • fqaf22p10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 16.6A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 8.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF19N20

FQAF19N20

  • fqaf19n20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 15A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF17P10

FQAF17P10

  • fqaf17p10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 12.4A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 6.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь