Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQAF33N10L

FQAF33N10L

  • fqaf33n10l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 12.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1630pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF19N20L

FQAF19N20L

  • fqaf19n20l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 16A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF19N60

FQAF19N60

  • fqaf19n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF28N15

FQAF28N15

  • fqaf28n15
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 22A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF16N50

FQAF16N50

  • fqaf16n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 5.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3000p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF17N40

FQAF17N40

  • fqaf17n40
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 12.2A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 6.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF16N25C

FQAF16N25C

  • fqaf16n25c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 11.4A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF16N25

FQAF16N25

  • fqaf16n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 12.4A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 6.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF15N70

FQAF15N70

  • fqaf15n70
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 700V 9.5A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 4.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 700V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF14N30

FQAF14N30

  • fqaf14n30
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 11.4A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 5.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1360pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF13N80

FQAF13N80

  • fqaf13n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 88nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF11N90

FQAF11N90

  • fqaf11n90
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 7.2A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF12N60

FQAF12N60

  • fqaf12n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 7.8A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 3.9A,10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF12P20

FQAF12P20

  • fqaf12p20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 8.6A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 4.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF11N40

FQAF11N40

  • fqaf11n40
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 8.8A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 4.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF11N90C

FQAF11N90C

  • fqaf11n90c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF10N80

FQAF10N80

  • fqaf10n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 3.35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 71nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA9P25

FQA9P25

  • fqa9p25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 250V 10.5A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 5.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1180pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA9N50

FQA9N50

  • fqa9n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 4.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1450pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA9N90C

FQA9N90C

  • fqa9n90c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2730pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь