Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FQA90N15
- fqa90n15
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 285nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8700pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA8N80C
- fqa8n80c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 4.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA90N10V2
- fqa90n10v2
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 105A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 52.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 191nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 105A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6150pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA8N100C
- fqa8n100c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3220pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA8N90C
- fqa8n90c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2080pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA90N08
- fqa90n08
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 90A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3250pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA85N06
- fqa85n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4120pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA7N90
- fqa7n90
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2280pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA7N90M
- fqa7n90m
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1880pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA7N80C_F109
- fqa7n80c.f109
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1680pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA7N80C
- fqa7n80c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1680pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA7N80
- fqa7n80
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA70N15
- fqa70n15
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 175nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5400pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA7N60
- fqa7n60
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1430pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA6N80
- fqa6n80
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 3.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA70N10
- fqa70n10
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA6N90
- fqa6n90
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1880pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA6N90_F109
- fqa6n90.f109
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1880pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA6N90C_F109
- fqa6n90c.f109
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1770pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQA6N70
- fqa6n70
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 700V 6.4A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 700V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК