Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQA65N06

FQA65N06

  • fqa65n06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 72A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA65N20

FQA65N20

  • fqa65n20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 32.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7900pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA62N25C

FQA62N25C

  • fqa62n25c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6280pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA47P06

FQA47P06

  • fqa47p06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 55A TO-3PN Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 27.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA44N30

FQA44N30

  • fqa44n30
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 43.5A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 21.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5600p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA44N08

FQA44N08

  • fqa44n08
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 49.8A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 24.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1430pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA44N10

FQA44N10

  • fqa44n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 48A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA5N90

FQA5N90

  • fqa5n90
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1550pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA55N25

FQA55N25

  • fqa55n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 27.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6250pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA55N10

FQA55N10

  • fqa55n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 30.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2730pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA40N25

FQA40N25

  • fqa40n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 40A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA46N15

FQA46N15

  • fqa46n15
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3250pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA48N20

FQA48N20

  • fqa48n20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA38N30

FQA38N30

  • fqa38n30
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 19.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4400pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA36P15

FQA36P15

  • fqa36p15
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3320pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA35N40

FQA35N40

  • fqa35n40
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5600pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA34N20L

FQA34N20L

  • fqa34n20l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3900pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA34N20

FQA34N20

  • fqa34n20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA34N25

FQA34N25

  • fqa34n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 34A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2750pF @ 25V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA32N20C

FQA32N20C

  • fqa32n20c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 32A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2220pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь