Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQA33N10L

FQA33N10L

  • fqa33n10l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1630pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA28N50F

FQA28N50F

  • fqa28n50f
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P Серия: FRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 14.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5600

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA33N10

FQA33N10

  • fqa33n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA30N40

FQA30N40

  • fqa30n40
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4400pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA28N50

FQA28N50

  • fqa28n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 14.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5600p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA28N15

FQA28N15

  • fqa28n15
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA27N25

FQA27N25

  • fqa27n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 27A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2450pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA24N60

FQA24N60

  • fqa24n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 23.5A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 11.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 145nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA17N40

FQA17N40

  • fqa17n40
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 17.2A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA22P10

FQA22P10

  • fqa22p10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 24A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA24N50F

FQA24N50F

  • fqa24n50f
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P Серия: FRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA20N40

FQA20N40

  • fqa20n40
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 19.5A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 9.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA24N50

FQA24N50

  • fqa24n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA19N60

FQA19N60

  • fqa19n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 9.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA19N20L

FQA19N20L

  • fqa19n20l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 25A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA19N20C

FQA19N20C

  • fqa19n20c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 21.8A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 10.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA18N50V2

FQA18N50V2

  • fqa18n50v2
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA17P10

FQA17P10

  • fqa17p10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 18A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA170N06

FQA170N06

  • fqa170n06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 85A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 290nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9350pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA16N25C

FQA16N25C

  • fqa16n25c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 17.8A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь