Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQA16N50

FQA16N50

  • fqa16n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3000pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA13N50

FQA13N50

  • fqa13n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 13.4A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 6.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA13N80_F109

FQA13N80_F109

  • fqa13n80.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 6.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 88nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA140N10

FQA140N10

  • fqa140n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 285nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7900pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA14N30

FQA14N30

  • fqa14n30
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 15A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1360pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA160N08

FQA160N08

  • fqa160n08
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 290nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7900pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA12P20

FQA12P20

  • fqa12p20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 6.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA13N80

FQA13N80

  • fqa13n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 6.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 88nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA13N50C

FQA13N50C

  • fqa13n50c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 13.5A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2055pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA12N60

FQA12N60

  • fqa12n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 12A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 6A,10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA11N90C_F109

FQA11N90C_F109

  • fqa11n90c.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA11N90C

FQA11N90C

  • fqa11n90c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA11N90

FQA11N90

  • fqa11n90
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 5.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA10N80C

FQA10N80C

  • fqa10n80c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA10N60C

FQA10N60C

  • fqa10n60c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2040pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA10N80

FQA10N80

  • fqa10n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 4.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 71nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FMD80-0045PS

FMD80-0045PS

  • fmd80.0045ps
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 55V 150A I4-PAC-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 110A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mount

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FMD40-06KC

FMD40-06KC

  • fmd40.06kc
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FMD21-05QC

FMD21-05QC

  • fmd21.05qc
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounti

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FKP202

FKP202

  • fkp202
  • GLENAIR
  • TO-220F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь