Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
BSL205N L6327
- bsl205n.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 20V 2.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 419pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSD235N L6327
- bsd235n.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 950mA · Емкость @ Vds: 63pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSD235C L6327
- bsd235c.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 950mA, 530mA · Емкость @ Vds: 47pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002V-TP
- 2n7002v.tp
- Micro Commercial Co
- MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Повер
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002VA
- 2n7002va
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH SOT-563F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002V
- 2n7002v
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH SOT-563F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002DW L6327
- 2n7002dw.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 30MA SOT-363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 300mA · Емкость @ Vds: 20pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLUD3191PZTBG
- ntlud3191pztbg
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1.7A DUAL 6UDFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLUD3191PZTAG
- ntlud3191pztag
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1.7A DUAL 6UDFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMP6A18DN8TA
- zxmp6a18dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2P-CH 60V 4.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.7A · Емкость @ Vds: 1580pF @ 30V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMP6A17DN8TA
- zxmp6a17dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2P-CH 60V 3.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.4A · Емкость @ Vds: 637pF @ 30V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMP6A16DN8TA
- zxmp6a16dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 1021pF @ 30V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMP3F37DN8TA
- zxmp3f37dn8ta
- Diodes Inc.
- Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности 30V Dual P-Channel 20V VGS -36A IDM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMP3A17DN8TA
- zxmp3a17dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 630pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMP3A16DN8TA
- zxmp3a16dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29.6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.2A · Емкость @ Vds: 1022pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A25DN8TA
- zxmn6a25dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2N-CH 60V 4.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 1063pF @ 30V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A11DN8TC
- zxmn6a11dn8tc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 60V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 330pF @ 40V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A11DN8TA
- zxmn6a11dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2N-CH 60V 2.7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 330pF @ 40V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A09DN8TA
- zxmn6a09dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 1407pF @ 40V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A09DN8TC
- zxmn6a09dn8tc
- Diodes/Zetex
- MOSFET DUAL N-CHAN 60V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 1407pF @ 40V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК