Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
ZXMN3G32DN8TA
- zxmn3g32dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 472pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3F31DN8TA
- zxmn3f31dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.7A · Емкость @ Vds: 608pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A06DN8TC
- zxmn3a06dn8tc
- Diodes/Zetex
- MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 796pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3AM832TA
- zxmn3am832ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8MLP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 190pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A06N8TA
- zxmn3a06n8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A06DN8TA
- zxmn3a06dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 796pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A04DN8TC
- zxmn3a04dn8tc
- Diodes/Zetex
- MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 1890pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A04DN8TA
- zxmn3a04dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 1890pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN2AM832TA
- zxmn2am832ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8MLP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 299pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN2A04DN8TC
- zxmn2a04dn8tc
- Diodes/Zetex
- MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.9A · Емкость @ Vds: 1880pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN2A04DN8TA
- zxmn2a04dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.9A · Емкость @ Vds: 1880pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN10A08DN8TA
- zxmn10a08dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 405pF @ 50V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN10A08DN8TC
- zxmn10a08dn8tc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 405pF @ 50V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMHC6A07T8TA
- zxmhc6a07t8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.6A, 1.3A · Емкость @ Vds: 166pF @ 40V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMHN6A07T8TA
- zxmhn6a07t8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 60V 1.6A SOT223-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.4A · Емкость @ Vds: 166pF @ 40V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Logic Level Gat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMHC3F381N8TC
- zxmhc3f381n8tc
- Diodes Inc
- MOSFET COMPL H-BRIDGE 30V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.98A, 3.36A · Емкость @ Vds: 430pF @ 15V · Полярность: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMHC6A07N8TC
- zxmhc6a07n8tc
- Diodes Inc
- MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.39A, 1.28A · Емкость @ Vds: 166pF @ 40V · Полярность: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMHC3A01T8TA
- zxmhc3a01t8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET H-BRIDGE DUAL SOT223-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 15V · Ток @ 25°C: 2.7A, 2A · Емкость @ Vds: 190pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMHC3A01N8TC
- zxmhc3a01n8tc
- Diodes Inc
- MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.17A, 1.64A · Емкость @ Vds: 190pF @ 25V · Полярность: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMHC10A07T8TA
- zxmhc10a07t8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 100V SM8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1A, 800mA · Емкость @ Vds: 138pF @ 60V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК