Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
SI4539ADY-T1-E3
- si4539ady.t1.e3
- VISHAY
- N/P-KANAL POWER MOSFET RDS=0,053/0,09
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4511DY-T1-E3
- si4511dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.2A, 4.6A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4501ADY-T1-E3
- si4501ady.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH HALF BRG 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30V, 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.3A, 4.1A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4500BDY-T1-E3
- si4500bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.6A, 3.8A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4388DY-T1-E3
- si4388dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8.1A, 8.6A · Емкость @ Vds: 946pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: С
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4340DY-T1-E3
- si4340dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 20V 14-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 9.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.3A, 9.5A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4330DY-T1-E3
- si4330dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.6A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3993DV-T1-E3
- si3993dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 30V 1.8A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.8A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3983DV-T1-E3
- si3983dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 20V 2.1A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.1A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3981DV-T1-E3
- si3981dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 20V 1.6A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.6A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3951DV-T1-E3
- si3951dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.1nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 250pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3948DV-T1-E3
- si3948dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3905DV-T1-E3
- si3905dv.t1.e3
- VISHAY
- POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3909DV-T1-E3
- si3909dv.t1.e3
- VISHAY
- POWER MOSFET dual p-kanal
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3911DV-T1-E3
- si3911dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 20V 1.8A 6TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.8A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3900DV-T1-E3
- si3900dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3850ADV-T1-E3
- si3850adv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V 1.4/.96A 6TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.4A, 960mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3585DV-T1-E3
- si3585dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2A, 1.5A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3590DV-T1-E3
- si3590dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.7A 6TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A, 1.7A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3588DV-T1-E3
- si3588dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V 2.5/.57A 6TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A, 570mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК