Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
SI3586DV-T1-E3
- si3586dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V 2.9/2.1A 6TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A, 2.1A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3552DV-T1-E3
- si3552dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.5A, 1.8A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3529DV-T1-E3
- si3529dv.t1.e3
- VISHAY
- N-/P-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1958DH-T1-E3
- si1958dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 1.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.3A · Емкость @ Vds: 105pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Ст
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1988DH-T1-E3
- si1988dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.1nC @ 8V · Ток @ 25°C: 1.3A · Емкость @ Vds: 110pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1972DH-T1-E3
- si1972dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.3A · Емкость @ Vds: 75pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
Si1967DH-T1-GE3
- si1967dh.t1.ge3
- VISHAY
- 69054
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1970DH-T1-E3
- si1970dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.3A · Емкость @ Vds: 95pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1917EDH-T1-E3
- si1917edh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 12V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1913EDH-T1-E3
- si1913edh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 880mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1913DH-T1-E3
- si1913dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 880mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 570mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1912EDH-T1-E3
- si1912edh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.13A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1905DL-T1-E3
- si1905dl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 8V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 570mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 570mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1903DL-T1-E3
- si1903dl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 995 mOhm @ 410mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 410mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1902DL-T1-E3
- si1902dl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660ma, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 660mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1900DL-T1-E3
- si1900dl.t1.e3
- VISHAY
- Dual N-Kanal POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1563DH-T1-E3
- si1563dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.13A, 880mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1563EDH-T1-E3
- si1563edh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.13A, 880mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1557DH-T1-E3
- si1557dh.t1.e3
- VISHAY
- N/P KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1555DL-T1-E3
- si1555dl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20/8V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660ma, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20V, 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 660mA, 570mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК