Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
SI1553DL-T1-E3
- si1553dl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660ma, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 660mA, 410mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1553DL-T1
- si1553dl.t1
- VISHAY
- SC-70-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1551DL-T1-E3
- si1551dl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 290mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 290mA, 410mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1539DL-T1-E3
- si1539dl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 10V · Ток @ 25°C: 540mA, 420mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1035X-T1-E3
- si1035x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 180mA, 145mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1034X-T1-E3
- si1034x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 180MA SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 180mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1024X-T1-E3
- si1024x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 485mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1023X-T1-E3
- si1023x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 370mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1033X-T1-E3
- si1033x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 145MA SOT563F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 145mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1029X-T1-E3
- si1029x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH COMPL 60V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 305mA, 190mA · Емкость @ Vds: 30pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1026X-T1-E3
- si1026x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 305mA · Емкость @ Vds: 30pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1025X-T1-E3
- si1025x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.7nC @ 15V · Ток @ 25°C: 190mA · Емкость @ Vds: 23pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1016X-T1-E3
- si1016x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 485mA, 370mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8M9TB
- sp8m9tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N+P 30V 9A/5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Ток @ 25°C: 9A, 5A · Емкость @ Vds: 1190pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8M8TB
- sp8m8tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N+P 30V 6A/4.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A, 4.5A · Емкость @ Vds: 520pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8M6TB
- sp8m6tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N+P 30V 3.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A, 3.5A · Емкость @ Vds: 230pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8M7TB
- sp8m7tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N+P 30V 5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A, 7A · Емкость @ Vds: 230pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК