Полевые транзисторы - Сборки, страница 82
Всего товаров: 2491
SP8M10TB
- sp8m10tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7A, 4.5A · Емкость @ Vds: 600pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8M5TB
- sp8m5tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N+P 30V 6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A, 7A · Емкость @ Vds: 520pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8K4TB
- sp8k4tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Ток @ 25°C: 9A · Емкость @ Vds: 1190pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8K5TB
- sp8k5tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 140pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8K2TB
- sp8k2tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.1nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 520pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8M3TB
- sp8m3tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N+P 30V 4.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A, 4.5A · Емкость @ Vds: 230pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8K3TB
- sp8k3tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 600pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8K1TB
- sp8k1tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 230pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8J5TB
- sp8j5tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 2600pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8J4TB
- sp8j4tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 190pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8J3TB
- sp8j3tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 490pf @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8J2TB
- sp8j2tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 850pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8J1TB
- sp8j1tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1400pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SM6K2T110
- sm6k2t110
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 60V 200MA SOT-457 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.4nC @ 10V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 15pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6975DQ-T1-E3
- si6975dq.t1.e3
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6973DQ-T1-E3
- si6973dq.t1.e3
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5975DC-T1-E3
- si5975dc.t1.e3
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4936ADY-T1-E3
- si4936ady.t1.e3
- Vishay
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4814BDY-T1-E3
- si4814bdy.t1.e3
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4808DY-T1-E3
- si4808dy.t1.e3
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК