Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
SI4544DY-T1-E3
- si4544dy.t1.e3
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
QS6J3TR
- qs6j3tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 270pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
QS6M4TR
- qs6m4tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 80pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
QS6M3TR
- qs6m3tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 80pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
QS6K1TR
- qs6k1tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1A · Емкость @ Vds: 77pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
QS6J1TR
- qs6j1tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 270pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
QS5K2TR
- qs5k2tr
- Rohm Semiconductor
- TRANS N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 175pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMWD16UN,518
- pmwd16un.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.9A · Емкость @ Vds: 1366pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMWD19UN,518
- pmwd19un.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5.6A · Емкость @ Vds: 1478pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMWD15UN,518
- pmwd15un.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 11.6A · Емкость @ Vds: 1450pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMGD8000LN,115
- pmgd8000ln.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350pC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 125mA · Емкость @ Vds: 18.5pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMGD780SN,115
- pmgd780sn.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH DL 60V SOT363 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 300mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.05nC @ 10V · Ток @ 25°C: 490mA · Емкость @ Vds: 23pF @ 30V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMGD400UN,115
- pmgd400un.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 710mA · Емкость @ Vds: 43pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMGD370XN,115
- pmgd370xn.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 740mA · Емкость @ Vds: 37pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMGD290XN,115
- pmgd290xn.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH DL 20V SOT363 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 860mA · Емкость @ Vds: 34pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMGD280UN,115
- pmgd280un.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH DL 20V SOT363 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 870mA · Емкость @ Vds: 45pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMDT290UCE,115
- pmdt290uce.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP225,118
- php225.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT96-1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 250pF @ 20V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHN210,118
- phn210.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET NCH DL TRENCH 8SOIC Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 250pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК