Полевые транзисторы - Сборки, страница 84
Всего товаров: 2491
PHN203,518
- phn203.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.3A · Емкость @ Vds: 560pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHN210T,118
- phn210t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 3.4A 8-SOIC Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 250pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHKD6N02LT,518
- phkd6n02lt.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 10.9A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3A, 5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 10.9A · Емкость @ Vds: 950pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHKD3NQ10T,518
- phkd3nq10t.518
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHKD13N03LT,518
- phkd13n03lt.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8-SOIC Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.7nC @ 5V · Ток @ 25°C: 10.4A · Емкость @ Vds: 752pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHKD13N03LT,118
- phkd13n03lt.118
- NXP Semiconductors
- N-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHC2300,118
- phc2300.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 300V 0.34A SOT96-1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V · Напряжение (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.24nC @ 10V · Ток @ 25°C: 340mA · Емкость @ Vds: 102pF @ 50V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHC21025,118
- phc21025.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT96-1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 250pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NX3008NBKV,115
- nx3008nbkv.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NX3008NBKS,115
- nx3008nbks.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NX3008CBKS,115
- nx3008cbks.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFD5877NLT3G
- nvmfd5877nlt3g
- ON Semiconductor
- Power MOSFET 60 V, 39 m?, 17 A, Dual N-Channel, Logic Level, Dual SO8FL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFD5877NLT1G
- nvmfd5877nlt1g
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTZD3155CT5G
- ntzd3155ct5g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA, 430mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTZD3154NT5G
- ntzd3154nt5g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN DUAL 20V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTZD3155CT1G
- ntzd3155ct1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V 430MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA, 430mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTZD3155CT2G
- ntzd3155ct2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA, 430mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTZD3154NT1G
- ntzd3154nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTZD3152PT5G
- ntzd3152pt5g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 430mA · Емкость @ Vds: 175pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTZD3152PT1G
- ntzd3152pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 430mA · Емкость @ Vds: 175pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК