Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
NTUD3169CZT5G
- ntud3169czt5g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 220mA, 200mA · Емкость @ Vds: 12.5pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTUD3170NZT5G
- ntud3170nzt5g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 220mA · Емкость @ Vds: 12.5pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTTD1P02R2G
- nttd1p02r2g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.45A · Емкость @ Vds: 265pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTTD1P02R2
- nttd1p02r2
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.45A · Емкость @ Vds: 265pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTQD6968R2
- ntqd6968r2
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR N-CH 6.6A 20V 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.4A · Емкость @ Vds: 900pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTQD6968NR2G
- ntqd6968nr2g
- ON Semiconductor
- MOSFT PWR DUALN-CH 20V 7A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.2A · Емкость @ Vds: 630pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTQD6968N
- ntqd6968n
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 7A 20V 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.2A · Емкость @ Vds: 630pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTQD6866R2
- ntqd6866r2
- ON Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 20V 4.3A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 1400pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTQD4154ZR2
- ntqd4154zr2
- ON Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.5A · Емкость @ Vds: 1485pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTQD6866R2G
- ntqd6866r2g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR N-CH 6.9A 20V 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 1400pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTQD6968NR2
- ntqd6968nr2
- ON Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.2A · Емкость @ Vds: 630pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFD4902NFT1G
- ntmfd4902nft1g
- ON Semiconductor
- CLIP DFN 8 5*6*1 DASYM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD6P02R2SG
- ntmd6p02r2sg
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CHAN 7.8A 20V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.8A · Емкость @ Vds: 1700pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD6N04R2G
- ntmd6n04r2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 40V 5.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.6A · Емкость @ Vds: 900pF @ 32V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD6P02R2G
- ntmd6p02r2g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.8A · Емкость @ Vds: 1700pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD6N02R2G
- ntmd6n02r2g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.92A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD6N03R2G
- ntmd6n03r2g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 950pF @ 24V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD6N03R2
- ntmd6n03r2
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 950pF @ 24V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD6N02R2
- ntmd6n02r2
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.92A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD5838NLR2G
- ntmd5838nlr2g
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК