Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
NTMD5836NLR2G
- ntmd5836nlr2g
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD4N03R2G
- ntmd4n03r2g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 400pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD4840NR2G
- ntmd4840nr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 565pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD4820NR2G
- ntmd4820nr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 940pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD2C02R2SG
- ntmd2c02r2sg
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A, 3.4A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD3P03R2G
- ntmd3p03r2g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.05A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.34A · Емкость @ Vds: 750pF @ 24V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD2P01R2
- ntmd2p01r2
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 16V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 750pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD2P01R2G
- ntmd2p01r2g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 16V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 750pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD2C02R2G
- ntmd2c02r2g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A, 3.4A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD2C02R2
- ntmd2c02r2
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A, 3.4A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMC1300R2
- ntmc1300r2
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 3A 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A, 1.8A · Емкость @ Vds: 300pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLTD7900ZR2G
- ntltd7900zr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 15pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLUD3A260PZTBG
- ntlud3a260pztbg
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POWER MOSFET 20V 2A 200 M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLUD3A260PZTAG
- ntlud3a260pztag
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POWER MOSFET 20V 2A 200 M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJD4116NT1G
- ntljd4116nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN DUAL 30V 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 427pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJD3119CTAG
- ntljd3119ctag
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.6A, 2.3A · Емкость @ Vds: 271pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Ga
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJD3115PT1G
- ntljd3115pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CHAN DUAL 20V 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 531pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLGD3502NT1G
- ntlgd3502nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.3A, 3.6A · Емкость @ Vds: 480pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTL4502NT1
- ntl4502nt1
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR N-CHAN QUAD 24V 16QFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V · Напряжение (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 11.4A · Емкость @ Vds: 1605pF @ 20V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Logic Level Ga
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD5121NT1G
- ntjd5121nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 295mA · Емкость @ Vds: 26pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК