Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
NTJD4401NT4G
- ntjd4401nt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 630mA · Емкость @ Vds: 46pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD4401NT4
- ntjd4401nt4
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 630mA · Емкость @ Vds: 46pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD4401NT2G
- ntjd4401nt2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 630mA · Емкость @ Vds: 46pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD4105CT4
- ntjd4105ct4
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20V, 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 630mA, 775mA · Емкость @ Vds: 46pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD4401NT1G
- ntjd4401nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 630mA · Емкость @ Vds: 46pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD4105CT4G
- ntjd4105ct4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20V, 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 630mA, 775mA · Емкость @ Vds: 46pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD4158CT1G
- ntjd4158ct1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 250mA, 880mA · Емкость @ Vds: 33pF @ 5V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Ga
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD4152PT1
- ntjd4152pt1
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 880mA · Емкость @ Vds: 155pF @ 20V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD4401NT1
- ntjd4401nt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V ESD SOT363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 630mA · Емкость @ Vds: 46pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD4152PT1G
- ntjd4152pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 880mA · Емкость @ Vds: 155pF @ 20V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD4105CT2
- ntjd4105ct2
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20V, 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 630mA, 775mA · Емкость @ Vds: 46pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD4105CT2G
- ntjd4105ct2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20V, 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 630mA, 775mA · Емкость @ Vds: 46pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD4105CT1G
- ntjd4105ct1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N+P 20,8V 630MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20V, 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 630mA, 775mA · Емкость @ Vds: 46pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD4001NT1
- ntjd4001nt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN SS DUAL 30V SOT363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 250mA · Емкость @ Vds: 33pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD2152PT1G
- ntjd2152pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 775mA · Емкость @ Vds: 225pF @ 8V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD4001NT1G
- ntjd4001nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 250MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 250mA · Емкость @ Vds: 33pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD2152PT1
- ntjd2152pt1
- ON Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 775mA · Емкость @ Vds: 225pF @ 8V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD2152PT4
- ntjd2152pt4
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 775mA · Емкость @ Vds: 225pF @ 8V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD2152PT4G
- ntjd2152pt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 775mA · Емкость @ Vds: 225pF @ 8V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD2152PT2
- ntjd2152pt2
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 775mA · Емкость @ Vds: 225pF @ 8V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК