Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
G3404LL
- g3404ll
- Goford Semiconductor
- N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CSD16321Q5T
- csd16321q5t
- Texas Instruments
- 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RS3E130ATTB1
- rs3e130attb1
- Rohm Semiconductor
- PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQM25N15-52_GE3
- sqm25n15.52.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 150V 25A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS5113PLT1G
- ntmfs5113plt1g
- onsemi
- NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS126H6327XTSA1
- bss126h6327xtsa1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHW61N65EF-GE3
- sihw61n65ef.ge3
- Vishay Semiconductors
- MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHG64N65E-GE3
- sihg64n65e.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PXP015-30QLJ
- pxp015.30qlj
- Nexperia USA Inc.
- P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G60N04K
- g60n04k
- Goford Semiconductor
- N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMN37ENEX
- pmn37enex
- Nexperia USA Inc.
- PMN37ENE/SOT457/SC-74
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQD40061EL-T4_GE3
- sqd40061el.t4.ge3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUC100N08S5N034ATMA1
- iauc100n08s5n034atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTT170N10P-TR
- ixtt170n10p.tr
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 170A TO268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDPF4D5N10C
- fdpf4d5n10c
- onsemi
- MOSFET N-CH 100V 128A TO220F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS123Q-7
- bss123q.7
- DIODES INCORPORATED
- 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPT65R099CFD7XTMA1
- ipt65r099cfd7xtma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN94N50P2
- ixfn94n50p2
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 68A SOT227B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS139IXTMA1
- bss139ixtma1
- Infineon Technologies
- 250V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB45P03P4L11ATMA2
- ipb45p03p4l11atma2
- Infineon Technologies
- MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК