Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
ISC010N06NM5ATMA1
- isc010n06nm5atma1
- Infineon Technologies
- OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCHD040N65S3-F155
- fchd040n65s3.f155
- onsemi
- MOSFET N-CH 650V 65A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DI040P04PT
- di040p04pt
- Diotec Semiconductor
- MOSFET, -40V, -40A, P, 22.7W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2365EDS-T1-BE3
- si2365eds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA100N04T2-TRL
- ixta100n04t2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN1R2-55SLH
- psmn1r2.55slh
- Nexperia USA Inc.
- N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GT100N12D5
- gt100n12d5
- Goford Semiconductor
- N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPH4R50ANH1,LQ
- tph4r50anh1.lq
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LSIC1MO170T0750
- lsic1mo170t0750
- Littelfuse Inc.
- SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPP80R1K2P7XKSA1
- ipp80r1k2p7xksa1
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Транзистор: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMT47M2SFVWQ-13
- dmt47m2sfvwq.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVTFWS8D1N08HTAG
- nvtfws8d1n08htag
- onsemi
- 80V T8 IN U8FL HEFET PACK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJQ112ER-T1_GE3
- sqjq112er.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2451UFB4Q-7B
- dmn2451ufb4q.7b
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPP60R380C6XKSA1
- ipp60r380c6xksa1
- ROCHESTER ELECTRONICS
- MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP12N70X2
- ixtp12n70x2
- IXYS
- MOSFET N-CH 700V 12A TO220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP68D1LFB-7B
- dmp68d1lfb.7b
- Diodes Incorporated
- DIODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCP165N65S3R0
- fcp165n65s3r0
- onsemi
- MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RBA250N10CHPF-4UA02#GB0
- rba250n10chpf.4ua02.gb0
- Renesas Electronics Corporation
- MP-25LZU
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD4141-F085
- fdd4141.f085
- onsemi, Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК