Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
SI3457CDV-T1-BE3
- si3457cdv.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTP150N65S3HF
- ntp150n65s3hf
- onsemi
- MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS6B25NLWFT1G
- nvmfs6b25nlwft1g
- onsemi
- NVMFS6B25 - SINGLE N-CHANNEL POW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS6B05NLWFT1G
- nvmfs6b05nlwft1g
- onsemi, ONSEMI [ON Semiconductor]
- MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB2532-F085
- fdb2532.f085
- onsemi, FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
- MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ454EP-T1_BE3
- sqj454ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ868EP-T1_BE3
- sqj868ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ416EP-T1_BE3
- sqj416ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF16N60M6
- stf16n60m6
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GT100N12M
- gt100n12m
- Goford Semiconductor
- N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVB125N65S3
- nvb125n65s3
- onsemi
- SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS5H400NLT3G
- ntmfs5h400nlt3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 46A/330A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMTS0D7N06CLTXG
- ntmts0d7n06cltxg
- onsemi
- MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP047N08-F102
- fdp047n08.f102
- ONSEMI, GLENAIR
- MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RW4E075AJTCL1
- rw4e075ajtcl1
- Rohm Semiconductor
- NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP30N25L2
- ixtp30n25l2
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 30A TO220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB19DP10NMATMA1
- ipb19dp10nmatma1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-TO263-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA36N20X3
- ixfa36n20x3
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 36A TO263AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TSM500N15CS RLG
- tsm500n15cs.rlg
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPT65R190CFD7XTMA1
- ipt65r190cfd7xtma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК