Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
AO4476G
- ao4476g
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AO4476AL_101
- ao4476al.101
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3483DDV-T1-BE3
- si3483ddv.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G1003A
- g1003a
- Goford Semiconductor
- N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR8103
- irlr8103
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFWS3D6N10MCLT1G
- nvmfws3d6n10mclt1g
- onsemi
- PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RV4E031RPTCR1
- rv4e031rptcr1
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQA446CEJW-T1_GE3
- sqa446cejw.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G20N03D2
- g20n03d2
- Goford Semiconductor
- N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIRC16DP-T1-RE3
- sirc16dp.t1.re3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3456DDV-T1-BE3
- si3456ddv.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQS850EN-T1_BE3
- sqs850en.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPP330P10NMAKSA1
- ipp330p10nmaksa1
- Infineon Technologies
- Транзистор: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN4R2-80YSEX
- psmn4r2.80ysex
- Nexperia USA Inc.
- PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP50P04SLG-E1-AY
- np50p04slg.e1.ay
- Renesas Electronics Corporation, RENESAS [Renesas Technology Corp]
- MP-3ZK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3437DV-T1-BE3
- si3437dv.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFWS2D3P04M8LT1G
- nvmfws2d3p04m8lt1g
- onsemi
- MV8 P INITIAL PROGRAM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS3D0P04M8LT1G
- nvmfs3d0p04m8lt1g
- onsemi
- MV8 P INITIAL PROGRAM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPA21N50C3XKSA1
- spa21n50c3xksa1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 560V 21A TO220-FP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ4463AP_R2_00001
- pjq4463ap.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК